概述 

电容-电压(c-v)测量广泛用于半导体参数测试方面,尤其是mos  cap和mosfet结构。mos(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数,mos电容随外加电压变化的曲线称之为c-v曲线（简称c-v特性）,c-v曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度n、氧化层中可动电荷面密度q1、和固定电荷面密度qfc等参数。

系统方案 

普赛斯半导体功率器件c-v测试系统主要由源表、lcr表、矩阵开关和上位机软件组成。lcr表支持的测量频率范围在0.1hz~1mhz,源表(smu)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。   进行    c-v 测量时,通常在电容两端施加直流偏压,同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10khz    到1mhz之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描,扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流,从而计算出不同电压下的电容值。

功率器件cv测试系统cv测试仪优势

频率范围宽：频率范围10hz~1mhz连续频率点可调；高精度、大动态范围：提供0v~3500v偏压范围,精度0.1％；

内置cv测试：内置自动化cv测试软件,包含c-v（电容-电压）,c-t（电容-时间）,c-f（电容-频率）等多项测试测试功能;

兼容iv测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试；

实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线,便于监控；

扩展性强：系统采用模块化设计,可根据需求灵活搭配；