igbt功率半导体器件测试难点

   igbt是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点;同时igbt芯片属于电力电子芯片,需要工作在大 电流、高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠性要求较高。这给igbt测试带来了一定的困难:

1、igbt是多端口器件,需要多种仪表协同测试;2、igbt的漏电流越小越好,需要高精度的设备进行测试;

3、igbt的电流输出能力很强,测试时需要快速注入1000a级电流,并完成压降的采样;

4、lgbt耐压较高,一般从几千到一万伏不等,需要测量仪器具备高压输出和高压下na级漏电流测试的能力;

5、由于igbt工作在强电流下,自加热效应明显,严重时容易造成器件烧毁,需要提供us级电流脉冲信号减少器件自加热效应;

6、输入输出电容对器件的开关性能影响很大 ,不同电压下器件等效结电容不同,c-v测试十分有必要。

普赛斯大 功率igbt测试仪解决方案

  普赛斯igbt功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量igbt功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大 电流特性、uq级精确测量、na级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

   普赛斯igbt功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大 方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。详询一八一四零六六三四七六；

“双高”系统优势

   高电压、大 电流

   具有高电压测量/输出能力,电压高达3500v(最 大 可扩展至10kv)

   具有大 电流测量/输出能力,电流高达6000a(多模块并联)

   高精度测量

   na级漏电流,  μω级导通电阻

   0.1％精度测量

   模块化配置

   可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

   测试效率高

   内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

   支持国标全指标的一键测试

   扩展性好

   支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

测试项目

集电极-发射极电压vces,集电极-发射极击穿电压v(br)ces、集电极-发射极饱和电压vcesat

集电极截止电流ices、栅极漏电流iges

栅极-发射极电压vges、栅极-发射极阈值电压vge(th)

输入电容、输出电容、反向传输电容

续流二极管压降vf

i-v特性曲线扫描,c-v特性曲线扫描等