闸流管
闸流管出现于20世纪20年代末。早期的闸流管为静电控制闸流管,管内充有惰性气体或汞蒸气。在第二次世界大战中,随着雷达的发展又研制出氢闸流管。
定义
闸流管是在阴极-阳极之间有一个或多个栅极、具有控制特性的热阴极充气管。
注意事项
1、要有一定的预热时间。
2、闸流管灯丝电压要求稳定。
3、氢气要保证。
4、保证闸流管栅极电压的脉宽、幅度等参数符合要求。
5、闸流管需保持良好的通风散热状态。
6、随时监测闸流管工作时产生的声音和弧光。
2、闸流管灯丝电压要求稳定。
3、氢气要保证。
4、保证闸流管栅极电压的脉宽、幅度等参数符合要求。
5、闸流管需保持良好的通风散热状态。
6、随时监测闸流管工作时产生的声音和弧光。
工作原理
栅极加上正向电压后,阴极发射出的电子便在电场的作用下向栅极运动。在运动过程中,电子不断与气体分子相碰撞,使部分气体分子电离,形成新的电子和离子。新的电子也向栅极运动,又会出现新的电离; 而离子向阴极运动在适当的条件下就能在极短的时间内发生“雪崩式”过程,在阴极-栅极间形成等离子区(见气体放电)。这时,如阳极具有足够高的正向电压,那么,在阳极电场的作用下,等离子区里的部分电子将得到加速,在阳极-栅极空间使气体分子电离。极-栅极间的等离子区迅速扩展到阳极-栅极空间。这时,整个闸流管导通,栅极失去控制能力。只有在阳极电压降得很低,不足以维持放电电流时,放电才会熄灭。管子在放电熄灭以后还要经过一段消电离时间,待放电空间等离子区消失后,栅极才能恢复原来的控制功能,准备下一次工作。
静电控制闸流管的栅极加负偏压,信号电压加上后,阴极发射的部分电子穿过栅极进入阳极-栅极空间,在阳极电场的作用下产生“雪崩式”放电,使闸流管导通。
静电控制闸流管的栅极加负偏压,信号电压加上后,阴极发射的部分电子穿过栅极进入阳极-栅极空间,在阳极电场的作用下产生“雪崩式”放电,使闸流管导通。
保养
闸流管在工作一段时间以后,由于静电吸附作用,将有一些灰尘粘在管外壁上,对玻璃管而言,可以用纱布蘸纯度高的酒精液擦拭;对陶瓷管而言,需用干的丝绸布来擦拭,最好不要用酒精。千万不能用水!
应用
闸流管一般作为调制器的开关元件。在核聚变、加速器、激光、等离子体研究、航天、医学等方面都有广泛的应用。
应用规则
1、为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑。
2、要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须 3、设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,G+)。
4、为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低。返回线直接连至 MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和 MT1 间加电阻 1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用 H 系列低灵敏度双向可控硅。
5、若 dVD/dt或 dVCOM/dt可能引起问题,在 MT1 和MT2 间加入 RC 缓冲电路。若高 dICOM/dt可能引起问题,加入一几 mH的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com双向可控硅。
6、假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一:负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感,以限制dIT/dt;用 MOV 跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路。
7、选用好的门极触发电路,避开 3+象限工况,可以最大限度提高双向可控硅的 dIT/dt 承受能力。
8、若双向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出,负载上最好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通。
9、器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。
10、为了长期可靠工作,应保证 Rth j-a 足够低,维持 Tj 不高于 Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。
2、要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须
4、为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低。返回线直接连至 MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和 MT1 间加电阻 1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用 H 系列低灵敏度双向可控硅。
5、若 dVD/dt或 dVCOM/dt可能引起问题,在 MT1 和MT2 间加入 RC 缓冲电路。若高 dICOM/dt可能引起问题,加入一几 mH的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com双向可控硅。
6、假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一:负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感,以限制dIT/dt;用 MOV 跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路。
7、选用好的门极触发电路,避开 3+象限工况,可以最大限度提高双向可控硅的 dIT/dt 承受能力。
8、若双向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出,负载上最好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通。
9、器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。
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